Characterization of semiconductors by combining the PL and DLTS techniques
11月1日（星期五）下午1：30，玉泉路科研楼二楼报告厅
报告人：
卢励吾，中国科学院半导体研究所研究员，已退休。现返聘于北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心工作。长期从事半导体材料和器件电学性质的研究，主要采用电流-电压，变频电容-电压，热激电流谱，导纳谱和深能级瞬态谱技术测量和分析半导体材料和器件中杂质和缺陷引进的深中心。在国内外刊物发表几十篇论文，撰写“半导体检测与分析”（第二版,科学出版社）第七章。
主要介绍深能级瞬态谱的原理，深能级杂质和缺陷态的主要参数以及深能级瞬态谱仪在半导体材料中的应用
